Ano ang isang malawak na contact semiconductor laser

Ano ang isangmalawak na contact semiconductor laser
Ang mga laser ay ginagamit sa halos lahat ng distributed fiber optic sensing systems (DOFS) dahil mahusay ang mga ito sa pag-inject ngmga laser na may mataas na kapangyarihansa mga hibla. Gayunpaman, mayroong iba't ibang uri ng laser, at dito ipinakikilala ang mga pangunahing uri ayon sa pagtaas ng haba ng coherence, ibig sabihin, ang pagbaba ng lapad ng spectral. Sa pangkalahatan, ang isang laser ay binubuo ng isang gain medium na nagpapalakas sa liwanag na lumalaganap dito at nagbibigay ng feedback upang ipadala ang pinalakas na liwanag pabalik sa gain medium para sa pag-ikot ng gain. Samakatuwid, simula sa kusang paglabas sa loob ng gain medium, mas malakas at mas magkakaugnay na mga alon ng liwanag ang mabubuo, na ang mga katangian ay nakasalalay sa parehong gain medium at sa mga katangian ng feedback. Karaniwan, ang feedback ay nagbibigay ng isang resonant na istraktura na bumubuo ng isa o higit pang mga mode, na ang bawat isa ay naglalabas sa loob ng isang makitid na saklaw ng spectral.
Ang malawak na pakikipag-ugnayanlaser na semikondaktor, ang pinakasimple at pinakamaagang semiconductor laser, ay binubuo ng isang semiconductor gain region na nabuo sa pamamagitan ng isang pn junction ng isang direktang bandgap material (tulad ng GaAs), na may feedback na ibinibigay ng repleksyon mula sa mga nalinis na facet ng laser chip; Ang haba ng mga laser chip ay karaniwang ilang daang micrometer. Ang istrukturang ito ng koneksyon ay idinisenyo upang sabay na limitahan ang mga charge carrier at liwanag na kumakalat sa loob ng gain region. Bilang mga diode, ang mga device na ito ay may mga electrical contact sa magkabilang panig. Sa isang broad contact device, ang lapad ng top electrode ay ilang sampu-sampung micrometer (karaniwan ay nasa humigit-kumulang 75 μm); Samakatuwid, ang light emission ay bumubuo ng isang linya sa lapad na ito, na single-mode sa plane na patayo sa junction, at nagpapakita ng isang kumplikadong multi-mode light field distribution sa plane na parallel sa junction. Dahil sa emission mode na ito, ang mga wide contact laser ay maaari lamang mahusay na maiugnay sa mga multimode fiber. Gayunpaman, ang lakas ng broad contact laser ay medyo mataas, at sa ilalim ng pulsed operating conditions, ang 75 μm electrode device ay karaniwang maaaring mag-output ng peak power na higit sa 10 W.
Malawak na contact laserAng mga diode ay angkop para sa ilang uri ng Raman multimode distributed temperature sensing system, dahil ang mga sistemang ito ay hindi nangangailangan ng mataas na spectral purity. Naaangkop din ang mga ito sa mga loss based sensor, tulad ng mga sistemang gumagamit ng kontroladong micro bending bilang isang sensing mechanism.