Rof Intensity Modulator manipis na pelikulang lithium niobate modulator 40G TFLN modulator

Itinatampok na Larawan ng Rof Intensity Modulator na manipis na pelikulang lithium niobate modulator na 40G TFLN modulator

Maikling Paglalarawan:

Ang materyal na thin film lithium niobate on insulator (LNOI) ay nagmamana ng mahusay na electro-optic properties ng mga bulk lithium niobate na materyales, na nagbibigay ng isang bagong solusyon para sa mga high-speed electro-optic modulator chips na maaaring i-integrate, gawing miniaturized, at may mataas na modulation efficiency. Nakabuo kami ng isang wideband, low half wave voltage thin film LiNbO3 electro-optic modulator batay sa materyal na LNOI. Ang aming produkto ay may mahusay na mga katangian ng mataas na stability, mababang insertion loss, at maliit na sukat, na mas kapaki-pakinabang kaysa sa tradisyonal na bulk material lithium niobate modulators, at may malawak na posibilidad ng aplikasyon sa mga high-speed optical communication at microwave photonics field.

Magpadala ng email sa amin I-DOWNLOAD

Detalye ng Produkto

Nag-aalok ang Rofea Optoelectronics ng mga produktong Optical at photonics Electro-optic modulators.

Mga Tag ng Produkto

Tampok

Mataas na bandwidth, mababang pagkawala, mababang boltahe sa pagmamaneho, maliit na sukat, mataas na katatagan

Patlang

Mataas na bilis ng komunikasyong optikal, microwave photonics, radar, atbp.

Rof EOM Intensity Modulator 20G manipis na pelikulang lithium niobate modulator TFLN modulator

Parametro

Parametro	Sym	tagapagpahiwatig	Yunit
haba ng daluyong na gumagana	λ	1530~1565	nm
Pagkawala ng optical insertion	IL	≤ 5.5 (Uri 4.5)	dB
proporsyon ng pagkalipol	ER	≥ 25	dB
Pagkawala ng optical return	RL	≤ -30	dB
Pinakamataas na lakas ng optikal na input	P_in	≤ 200	mW
Bandwidth ng modulasyon ng elektro-optiko (3dB, mula 2GHz)	BW	≥ 40	GHz
Boltahe ng kalahating alon ng RF @ 50KHz	Vπ	≤ 3.5	V
Repleksyon ng RF	S₁₁	≤ -10	dB
Pinakamataas na lakas ng pag-input ng RF	S_in	≤ 25	dBm
Lakas ng kalahating alon na may thermal bias	Pπ	50	mW
Boltahe ng bias ng init	U_pampainit	< 8	V
Temperatura ng Operasyon	T_O	-55~85	℃
Temperatura ng imbakan	T_S	-55~85	℃

Impormasyon sa pag-order

Sym	Dpaglalarawan	Opsyonal na parametro
λ	haba ng daluyong na gumagana	C (~1550nm)，O (~1310nm)
BW	3dB na bandwidth	40(40GHz)
PD	Pagsubaybay sa PD	1 (integrated), 0 (hindi integrated)
IF	Pag-input ng fiber optic	P (polarisasyon na nagpapanatili ng hibla)
OF	Output fiber optic	P (polarisasyon na nagpapanatili ng hibla), S (karaniwang single-mode na hibla)
S	Boltahe ng kalahating alon	Pamantayan ng S

Laki ng pakete at kahulugan ng pin

Psa kahulugan:

Sgatla	Fpagpapahid
RF	RF input, 1.85mm na babaeng ulo
A	Elektrod na may termostatikong bias (positibo at negatibo)
B	Elektrod na bias na termostatiko
C	Backup na elektrod ng bias sa pagsasaayos ng thermal
D	Backup na elektrod ng bias sa pagsasaayos ng thermal

Nakaraan: Rof 2000nm Mataas na bilis na 2um electro-optic phase modulator

Susunod: ROF Si adjustable gain photodetector Silicon Photodetector

Nag-aalok ang Rofea Optoelectronics ng linya ng produkto ng mga komersyal na Electro-optic modulator, Phase modulator, Intensity modulator, Photodetectors, Laser light sources, DFB lasers, Optical amplifiers, EDFA, SLD laser, QPSK modulation, Pulse laser, Light detector, Balanced photodetector, Laser driver, Fiber optic amplifier, Optical power meter, Broadband laser, Tunable laser, Optical detector, Laser diode driver, Fiber amplifier. Nagbibigay din kami ng maraming partikular na modulator para sa pagpapasadya, tulad ng 1*4 array phase modulators, ultra-low Vpi, at ultra-high extinction ratio modulators, na pangunahing ginagamit sa mga unibersidad at institusyon.
Sana ay makatulong ang aming mga produkto sa iyo at sa iyong pananaliksik.

Mga Kaugnay na Produkto