Ang manipis at malambot na mga bagong semiconductor na materyales ay maaaring gamitin upang gumawa ng mga micro at nano optoelectronic na aparato

Ang manipis at malambot na mga bagong semiconductor na materyales ay maaaring gamitin upang gumawa ng micro atnano optoelectronic na mga aparato

roperties, kapal ng ilang nanometer lamang, magandang optical properties... Nalaman ng reporter mula sa Nanjing University of Technology na ang research group ng propesor ng physics Department ng paaralan ay naghanda ng ultra-manipis na mataas na kalidad na two-dimensional lead iodide crystal , at sa pamamagitan nito upang makamit ang regulasyon ng optical properties ng two-dimensional transition metal sulfide materials, na nagbibigay ng bagong ideya para sa paggawa ng solar cells atmga photodetector. Ang mga resulta ay nai-publish sa pinakabagong isyu ng internasyonal na journal Advanced Materials.

“Ang ultra-thin lead iodide nanosheet na inihanda namin sa unang pagkakataon, ang teknikal na termino ay ' atomically thick wide band gap two-dimensional PbI2 crystals', na isang ultra-thin semiconductor material na may kapal na ilang nanometer lamang. ” Sun Yan, ang unang may-akda ng papel at isang doktor na kandidato sa Nanjing University of Technology, ay nagsabi na ginamit nila ang paraan ng solusyon upang mag-synthesize, na may napakababang mga kinakailangan sa kagamitan at may mga bentahe ng simple, mabilis at mahusay, at maaaring matugunan ang pangangailangan ng malaking lugar at mataas na ani na paghahanda ng materyal. Ang mga synthesized na lead iodide nanosheet ay may regular na triangular o hexagonal na hugis, average na sukat na 6 microns, makinis na ibabaw at magandang optical properties.

Pinagsama ng mga mananaliksik ang ultra-thin nanosheet na ito ng lead iodide na may two-dimensional transition metal sulfides, artipisyal na idinisenyo, pinagsama ang mga ito, at nakakuha ng iba't ibang uri ng heterojunctions, dahil ang mga antas ng enerhiya ay nakaayos sa iba't ibang paraan, kaya ang lead iodide ay maaaring magkaroon ng iba't ibang epekto. sa optical performance ng iba't ibang two-dimensional transition metal sulfides. Ang istraktura ng banda na ito ay maaaring epektibong mapabuti ang makinang na kahusayan, na nakakatulong sa paggawa ng mga aparato tulad ng mga light-emitting diode at laser, na inilalapat sa display at pag-iilaw, at maaaring magamit sa larangan ng mga photodetector atmga aparatong photovoltaic.

Napagtatanto ng tagumpay na ito ang regulasyon ng optical properties ng two-dimensional transition metal sulfide na materyales sa pamamagitan ng ultra-thin lead iodide. Kung ikukumpara sa mga tradisyunal na optoelectronic na aparato batay sa mga materyales na nakabatay sa silicon, ang tagumpay na ito ay may mga katangian ng flexibility, micro at nano. Samakatuwid, maaari itong mailapat sa paghahanda ng nababaluktot at pinagsamaoptoelectronic na mga aparato. Mayroon itong malawak na pag-asam ng aplikasyon sa larangan ng pinagsamang micro at nano optoelectronic na mga aparato, at nagbibigay ng bagong ideya para sa paggawa ng mga solar cell, photodetector at iba pa.